전위의 치환 필드에 대한 0.03 Å 해상도 측정

현미경의 공간 해상도(spatial resolution)가 발전하면서 상당한 관심과 반향을 불러일으켰다. 하지만 무엇보다도 재료 과학(materials science)에서 중요한 것은 현미경을 이용하여 원자 크기(atomic scale)의 중요한 구조적인 정보를 제공한다는데 있다. 고 해상도 전자 현미경(high resolution electron microscopy) 및 광학 간섭계(optical interferometry)를 이용하여 Hytch 등은 지금까지 사용되었던 장비 해상도의 100배에 이르는 0.01Å(약 1피코미터)의 정확도로 원자 격자의 치환 현상을 관측할 수 있었다. 이번 실험의 타깃은 실리콘의 가장자리 전위를 측정하는 것이었다. 실리콘 및 몇몇 물질들은 미세구조 재료(nanostructured material)로 이용되는 빈도가 늘어나고 있으며, 전자 현미경을 이용하여 이러한 재료들의 응력 및 변형을 측정하는데 대한 중요성이 증가하고 있다.