디자인된 촉매를 이용한 조절된 키랄성 성장을 가지는 수평 탄소 나노튜브 어레이

무어의 법칙이 통하던 시대에는 매 2년에 한번씩 반도체 칩을 구성하는 트랜지스터의 수가 두 배가 된다고 예측했었지만, 이제는 더 이상 이러한 예측이 맞지 않는 것으로 확인되었다. 연구원들은 나노전자 장치에 사용할 수 있는 대체제를 개발하고 있다. 수평 나노튜브 어레이는 전류 아웃풋이 최적화되는 구조를 가지고 있기 때문에, 특히 많은 관심의 대상이 되고 있다. 최근 Jin Zhang과 공동연구원들은 키랄성 조절과 금속성 및 반도체성의 두 가지 서로 다른 전기적 특성을 가진 두 가지 서로 다른 수평형 탄소 나노튜브 어레이를 제작하였다. 저자들은 이를 통해서 특정 직경과 결정 축을 가지는 나노튜브를 선택할 수 있는 촉매 어레이를 개발할 수 있었다. 저자들은 키랄 구조를 가지는 나노튜브를 타깃으로 하였으며, 이는 성장 조건을 최적화함으로써 빠르게 성장시키는 것이 가능하였다. 이러한 연구 결과를 통해서 차세대 고성능 전자 장치를 개발하고, 이를 탄소 나노기술을 기반으로 한 전자 회로 구축에 응용할 수 있을 것으로 기대된다.