갈륨 비소 나노와이어에서 일어나는 경계면 다이나믹스와 결정 위상 교환

갈륨 비소(Gallium arsenide, GaAs) 나노와이어에 대한 고해상도 in situ 전자 현미경 분석을 통해서, 이 물질이 두 가지 결정 구조, 즉 아연이 함유된 안정된 벌크 상태와 준안정 섬유 아연석이 존재하는 두 가지 결정 상태가 성장하는 과정을 관찰 할 수 있었다. 이번 분석을 통해서 얻어진 이미지에서는 성장하고 있는 나노 와이어의 평평한 가장 자리 구조를 통해서 나노와이어가 방울 위에서 성장하는 위상학을 가지고 있으며, 어떤 위상을 선택할 것인지를 알 수 있었다. 이번 연구에서는 나노와이어의 정밀한 위상 컨트롤을 가능하게 하였으며, 양자 옵틱스와 나노일렉트로닉스에 대한 응용 가능성을 제시하였다.