원자 단위의 가는 채널을 가진 터널 필드 효과 트랜지스터 개발

기존의 트랜지스터 기술은 궁극적인 한계점에 빠르게 도달하고 있으며, 이황화 몰리브덴과 같은 2차원 반도체 재료는 차세대 고밀도 저전력 반도체칩을 생산하기 위한 대체 물질로 생각되고 있다. 특히 가능성 높은 특징은 밴드 간 터널 트랜지스터로써, 기존의 실리콘 기반의 MOSFET 트랜지스터와는 전혀 다른 방식으로 작동한다. 지금까지, 실리콘 트랜지스터에 비해 조금 나은 특성을 가지는 몇몇 장치만이 발표되었었다. 최근 Kaustav Banerjee등은 원자 두께의 이황화 몰리브덴을 이용하여 수직 구조의 터널 트랜지스터를 제작하였으며, 게르마늄을 이용하여 전극을 제작하였다. 이렇게 제작된 트랜지스터는 턴온 특성과 구동에 있어서 낮은 에너지를 사용하며, 현재 사용하고 있는 실리콘 기반의 트랜지스터에 비해서 훨씬 더 구동 성능이 우수한 것으로 확인되었다. 이번에 개발된 트랜지스터는 저전력의 통합 회로를 비롯하여, 매우 민감도가 높은 바이오 센서 또는 가스 센서로 활용이 가능할 것으로 보인다.