광화학적 활성화를 통해서 만들어진 유연한 금속 산화물 장치 개발

솔루션 처리가 가능한 금속 산화물 반도체는 저비용의 유연한 전극을 생산하는데 있어서 매력적인 재료이지만, 침전된 물질과 상당한 고온에서 결합하기 때문에 이를 이용하는데 한계점으로 작용했었다. 최근 Yong-Hoon Kim과 공동연구원들은 용액 캐스트 필름(solution cast film)을 자외선으로 조사함으로써, 서냉시키는 단계를 대체할 수 있었다. 이러한 시스템에서 광화학적 활성화는 서냉과 동일한 목적으로 이용되었으며, 결과적으로 만들어진 반도체 재료는 고온에서 만들어진 물질과 유사한 성능을 나타내었다.