나노와이어 채널을 이용한 고성능 수직 트랜지스터

트랜지스터의 성능 개선과 소형화를 위해서, 마이크로일랙트로닉스 산업계에서는 3차원 일랙트로닉 게이트 구조를 채택하였다. 트랜지스터의 성능을 향상시킬 수 있는 또 다른 방법은 실리콘 보다 뛰어난 전자 이동 성능을 가진 반도체 재료를 이용하는 것이다. Katsuhiro Tomioka 등은 두 가지 방법을 조합한 연구 방법을 채택하였다. 저자들은 실리콘 위에 올 서라운딩 게이트를 가진 고정밀 수직, 6 방향성 코어 멀티쉘 인디움 갈륨 합금 나노와이어를 제작하였다. 이를 통해 매우 뛰어난 트랜지스터 성능을 확보할 수 있었으며, 뛰어난 스위치 온/오프 효과 및 빠른 반응 속도를 얻을 수 있었다. [Letter, 189쪽].