실리콘에서의 리드베리 상태에 대한 응집성 조절

원자가 ‘리드베리(Rydberg)’ 상태로 여기 될 때, 전자 파동함수(Electronic wavefunction)가 0.1 나노미터 보다 훨씬 낮은 값에서 수 나노미터까지 증가하게 된다. 이러한 프로세스는 정상적인 상태에서는 상호작용을 할 수 없는 거리에 떨어져 있는 원자들 간의 상호작용을 일관되게 조절하는데 이용할 수 있을 것이다. Thornton Greenland와 공동연구원들은 레이저 냉각을 통한 원자 트랩에 이용된 방법과 유사하게 양자를 조절하는데 이용하였으며, 실리콘 내에서 불순물 원자가 존재하고 있는 인(phosphorus)을 이용하여 고체 상태에서 조절할 수 있었다. 이러한 기술은 알려져 있는 위치에서의 불순물 원자를 불러낼 수 있기 때문에 양자 논리 게이트에 적용할 수 있을 것으로 여겨진다.