높은 Tc 초전도체에서 슈도갭의 발현

초전도체 연구 분야에서 오랫동안 내려온 의문은 슈도갭(pseudogap) 사이의 상호작용 특성에 대한 것이며, 이러한 슈도갭은 홀 도핑(hole-doped)된 산화 구리 초전도체 및 스트립에서는 매우 흔하게 나타나는 현상으로써 공전(static form)된 상태는 매우 좁은 범위의 상 다이아그램을 가지는 경우에만 나타났다. Parker 등은 고온 초전도체인 Bi2Sr2CaCu2O8+x 에서 스캐닝 터널링 현미경(Scanning Tunnelling microscopy)을 통해서 밝혀졌다. 저자들은 슈도갭 상태가 되면 변화가 있는 스트립의 특성을 예측할 수 있는 전자 패턴의 생성을 동반한다는 사실을 확인하였다. 이번 실험을 통해서 스트립이 슈도갭의 생성 원인 보다는 작용 방식에 의한 결과였다는 것이 확인되었다.