리서치 하이라이트

고성능 나노스캐일 트랜지스터 용 초박막 화합물 반도체 제작

Nature 468, 7321

갈륨 비소(gallium arsenide)와 인듐 비소(indium arsenide)와 같은 화합물 반도체 물질은 뛰어난 전기적 특성을 가지고 있지만, 만드는데 비용이 많이 소요되기 때문에, 제조 비용 측면에서 생산 비용이 저가인 실리콘을 따라 잡을 수가 없었다. 하지만 실리콘 전자제품 소형화가 한계에 다다른 상황에서 제품의 성능을 높일 수 있는 다른 방법으로 실리콘 내에 화합물 반도체를 결합시키는 방법에 대한 요구가 고조되어 왔다. Ali Javey와 공동연구원들은 대규모 옵토일랙트로닉스 방법으로부터 채택한 방법인 에피텍셜 전이법(epitaxial transfer method)을 이용하여 단일 결정 인듐 비소를 실리콘 기반의 재료 위에 결합시키는 새로운 방법을 개발한 결과를 발표하였다. 새로운 기술은 엘라스토메릭 스탬프(elastomeric stem)를 이용하여 인듐 비소 나노와이어를 들어올리며, 실리콘을 기반으로 한 재료 위로 이들을 전달하였으며, 이를 통해서 뛰어난 성능을 가진 박막 필름 트랜지스터를 제작하는데 성공하였다.