배출형 다중층 어셈블리를 이용한 GaAs 광전압 및 광전기 장치

갈륨 비소(gallium arsenide)와 같은 반도체 성분들은 태양광 발전 및 광전자와 같은 응용 분야에서는 실리콘보다 뛰어난 성능을 가지고 있지만, 태양 전지, 야간 투시경, 그리고 무선 정보 통신을 위한 장치를 위해서 크게 제작하거나, 고순도의 층을 만들거나, 또는 구부릴 수 있거나 투명한 재료 위에 도포하기 위해 비용이 많이 드는 공정을 필요로 하고 있다. 최근 John Rogers와 그의 연구팀에서는 이러한 단점을 해결할 수 있는 제작 기법을 발표하였다. 저자들은 GaAs와 AlGaAs 박막을 제작하기 위한 단일 증착 절차를 위해서 두꺼우면서 다중 층을 가진 어셈블리를 이용하였으며, 그 이후에 각각의 층을 떼어낸 후에 프린팅을 통해 다른 재료 위에 옮겨 놓았다. 이러한 방법은 큰 크기에 응용이 가능하며, 유리 위에 구현한 전계 효과 트랜지스터 및 플라스틱 시트에 만든 태양광 발전 장치와 같은 GaAs 장비를 만들 수 있는 가능성을 제시하고 있다.