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리서치 하이라이트

공간전하 효과에 의한 실리콘의 대규모 자기 저항성

Nature 457, 7233

실리콘을 기반으로 하는 전자 장치들은 도처에서 사용되고 있으며, 따라서 실리콘 장치 기술(silicon device technology)은 가장 빨리 진화하고 있는 분야 중에 하나이다. 하지만, 교토 대학교 연구실의 연구에 따르면, 단순한 실리콘에도 아직까지 밝혀지지 않은 놀라운 특성이 있다는 사실이 밝혀졌다. 가볍게 도핑 처리된 실리콘을 기초로 한 단순한 장치가 두 개의 비-자기적 금속성 접촉을 통해 상온에서 1000%이상의 대규모 자기 저항성(magnetoresistance)을 유발한다는 사실이 밝혀졌다. 이는 특정 자기적 시스템에서 볼 수 있는 놀랄만한 자기 저항성과 유사하지만, 기반이 되는 메커니즘은 상당히 다르다. 이번에 발견된 메커니즘은 공간전하효과(space-charge effect)에 의해서 나타나게 된다. 이러한 자기적 저항성 효과는 실리콘을 기반으로 하는 새로운 자기 장치(magnetic device)를 개발하는 것을 가능하게 할 것으로 보인다.