페로브스카이트(Perovskite) 태양 전지를 위한 유기 중간층(Interlayer)의 CO2 도핑(Doping)

현재의 페로브스카이트(Perovskite) 태양전지 기술의 전력 변환 효율은 실리콘 기반 기술과 필적할 수준이다. 그러나 여전히 이 기술을 상용화하기 위해서는 문제점들이 존재한다. 이러한 문제점 중 하나는 시간이 많이 걸리고, 비용이 많이 드는 도핑(Doping) 공정으로, 페로브스카이트 필름과 양극 사이에 층을 이루는 정공 수송 물질(Hole transporting material)의 P-type 특성을 향상시키는데 필요하다. 본 연구에서 André Taylor와 연구진들은 CO2와 UV를 이용하여 Spiro-OMeTAD:LiTFSI (일반적인 정공 수송 물질)를 도핑하여 몇 분만에 전도도를 1~2배 증가시키는 새로운 방법에 대하여 발표하였다. 이러한 도핑된 물질을 포함하는 태양전지 장치는 기존 도핑된 중간층(Interlayer)와 비교하여 향상된 효율을 보여주었다. 이 공정은 제조 시간을 몇 시간 단축시켜 이 유망한 기술의 대량 생산을 촉진할 수 있는 잠재력을 제공한다.