2차원 반데르발스 이종 구조 어레이의 일반적인 합성

2차원 물질은 다양한 응용 분야에서 활용될 수 있는 다양한 특성을 나타낸다. 반데르발스 힘에 의해 함께 유지되는 헤테로 구조(Heterostructures)로 2차원물질들을 쌓아서 그들의 특성을 조정하고 결합할 수 있다. 그러나, 현재까지 대부분의 반데르발스 헤테로 구조는 박리된 플레이크를 수동으로 쌓아서 만들어졌으며, 이는 실용적인 기술의 확장 가능한 접근 방식이 아니다. Xiangfeng Duan과 그의 동료들은 2차원 반데르발스 헤테로 구조 어레이의 상향식 합성(Bottom-up synthesis)을 위한 일반적인 전략을 보여주었다. 반도체 전이 금속 디칼코게나이드(Dichalcogenide)에서 핵 생성 부위를 선택적으로 정형화함으로써, 이들은 주기적으로 설계 가능한 배열로 수많은 금속 전이 금속 디칼코게나이드의 핵 생성과 성장을 정확하게 제어 할 수 있다. 이러한 어레이로 제조 된 장치는 탁월한 전자 특성을 보여주므로 반데르발스 헤테로 구조 기반 기술을 개발하기 위한 확장 가능한 접근 방식의 가능성을 보여준다.