Cu (111)의 웨이퍼 스케일(Wafer-scale) 단결정 육방 질화 붕소 단층

2 차원 반도체는 트랜지스터를 축소하여 채널 물질로 실리콘을 대체하고 무어의 법칙(Moore’s Law)을 확장할 수 있는 잠재력이 크지만 인접한 유전체 층의 결함을 해결하는 것은 여전히 ​​중요한 과제 중 하나이다. 절연 반데르발스(van der Waals) 물질 육방정 질화 붕소는 2 차원 반도체의 우수한 계면 유전체 인 것으로 확인되었지만, 표준 실리콘 기판이 사용되는 최신 마이크로 전자 제조와 호환되는 공정을 사용하여 성장시키기는 어렵다. Lain-Jong Li와 그의 동료들은 2인치 사파이어 웨이퍼(Sapphire wafer)에 걸쳐 구리 (111) 박막에서 단결정 육방정 질화 붕소 단층의 에피택셜 성장(Epitaxial growth)을 실현하였다. 이러한 웨이퍼 스케일 단결정 육방정 질화 붕소를 생산 방식은 2차원 층 물질의 광범위한 채택을 실현하는데 도움이 될 수 있다.