초평편 그래핀 필름(Ultra-flat graphene films)의 양성자 보조 성장

그래핀(Graphene)의 독특한 특성은 다양한 응용 분야에서 이용될 수 있는 것은 큰 장점으로 작용하지만, 고품질 그래핀을 대규모로 합성하는데 어려움이 있어 개발에 어려움을 겪고 있다. 화학기상증착(Chemical vapour deposition)은 큰 그래핀 필름을 성장시키기 위한 유용한 방법이지만, 일반적으로 물리적 및 화학적 특성은 주름에 의해 저하되어 흑연으로부터 기계적으로 박리되는 작은 박편보다 성능이 크게 떨어진다. Libo Gao와 그의 동료들은 양성자를 이용하여 하부 기판에서 그래핀을 분리하여 주름의 수를 크게 줄이는 성장 과정을 보여주었다. 이 양성자 침투 공정(Proton penetration process)은 초편평 그래핀 필름(Ultra-flat graphene film)을 성장시키는 데 사용될 수 있을 뿐만 아니라 다른 물질들의 변형률을 조절하는 경로를 제공할 수도 있다.