Nature Physics

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2006年
RESEARCH HIGHLIGHT

Nature Physics 2,296 (2006) | doi: 10.1038/nphys307

チップ上の原子力

マイクロメートルスケールの構造物や組立品の精巧度は高まる一方であり、「ラボオンチップ」技術の（潜在的な）能力も高まっている。

チップ上の電源は有望であり、これを目指してB Liuらはシリカ母材中にトリチウムを吸蔵する技術を開発した（Appl. Phys. Lett. 88, 134101; 2006）。この放射性同位元素はβ線を放出するので、電子源として機能し、発電や近くにある分子のイオン化に利用できるかもしれない。

大規模な原子力発電所と同様に、安全性は小型の原子力発電装置にとって最も重要な問題である。母材にトリチウムを入れて保持するため、Liuらは高圧下でシリカフィルムに気体を充填した。続いて遠紫外線レーザーを照射し、安定したSi-OT結合を形成して選択した場所にトリチウムを効果的に固定した。

実験では、固定されたトリチウムが400°Cまで安定していることが確認されたが、これはレーザー処理を行わない場合より200°C高い。